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薩支唐院士辭世
發布時間: 2025-09-12
薩支唐院士於今（2025）年7月5日辭世，享耆壽93歲。
薩支唐院士為國際極具影響力的半導體物理及微電子學學者，於1963年與Frank Wanlass共同發明第一個互補式金屬氧化物半導體（CMOS）電路，為當代消費性電子產品的發展扮演關鍵角色。其所提出之金氧半場效電晶體（MOSFET）Pao-Sah模型，為MOS積體電路的發展奠定深厚理論基礎；其開發之接面瞬態電容光譜技術為深能階暫態頻譜（DLTS）之先驅；並將DCIV方法應用於半導體可靠度量測。
薩院士於1956年取得美國史丹福大學電機工程博士學位，而後任職於快捷半導體公司，1961年至1988年於伊利諾大學厄巴納—香檳分校任教，自1988年起於佛羅里達大學任職，曾擔任該校比德蒙卓越講座、傑出研究講座教授及工學院主任科學顧問。自2010年起任廈門大學物理科學與技術學院名譽教授。
薩院士曾獲選為美國國家工程學院院士、中國科學院外籍院士及美國物理學會終身會士，並獲國際電機電子工程師學會多項殊榮，包括：終身會士（IEEE Life Fellow）、J. J. Ebers獎、Jack Morton獎及電子元件學會顯赫會員（IEEE EDS Celebrated Member）等。於1998年當選本院第22屆院士，其父薩本棟亦為本院院士。
